P+F傳感器的材質(zhì)取決于其類(lèi)型和應(yīng)用。例如，數(shù)字，模擬，接近和圖像傳感器都具有自己的材料，結(jié)構(gòu)，制造設(shè)計(jì)和包裝。大多數(shù)制造商通常采用新的傳感器（如MEMS）的材料和制造設(shè)計(jì)。電子產(chǎn)品中使用的材料主要起著兩個(gè)作用——發(fā)揮主動(dòng)或被動(dòng)的作用。被動(dòng)材料用于提供機(jī)械結(jié)構(gòu)或電氣連接。這些材料中的某些材料（如硅和砷化鎵）也可以用作有源和無(wú)源材料。活性物質(zhì)對(duì)于微電子，光敏，壓電，磁阻和化學(xué)電阻膜的傳感過(guò)程比較重要。
 
       薄膜或厚膜形式的微傳感器材料在P+F傳感器傳感系統(tǒng)中有重要作用。這些設(shè)備使用化學(xué)氣相沉積（CVD）或低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）以及某些技術(shù)（例如電化學(xué)沉積）制造。比如元素硅在自然界中不存在，但存在于氧化物和硅酸鹽等化合物中。硅是豐富的，相對(duì)便宜的，并且具有許多可用于傳感器應(yīng)用的物理特性。可以在硅襯底上沉積具有所需特性的材料層。單晶硅是使用較廣的半導(dǎo)體材料，且它可以通過(guò)用氧化物真空沉積到氧化的硅晶片上來(lái)形成多晶層。多晶硅結(jié)構(gòu)可以通過(guò)離子注入或其他設(shè)計(jì)摻雜硼或其他元素，以達(dá)所需的導(dǎo)電性。
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